CVD设备此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
产品组成：
此款CVD系统配置：
1.1200度开启式真空管式炉（可选配单温区、双温区）。
2.多路质量流量控制系统
3.真空系统（可选配中真空或高真空）
CVD设备产品特点：
1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。
2 气路快速连接法兰结构采用本公司*的知识产权设计,提高操作便捷性。
3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。
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http://www.ctjzh.net/Products-40183418.html
技术参数：
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系统名称 |
1200℃单/双温区CVD系统 |
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系统型号 |
CVD-12II-3Z/G |
CVD-12II6-3Z/G |
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极限温度 |
1200℃ |
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加热区长度 |
420mm |
600mm |
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恒温区长度 |
280mm |
390mm |
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温区 |
双温区 |
双温区 |
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石英管管径 |
Φ50/Φ60/Φ80mm |
Φ80/Φ100mm |
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额定功率 |
3.2Kw |
4.8Kw |
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额定电压 |
220V |
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温度控制 |
国产程序控温系统50段程序控温； |
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控制精度 |
±1℃ |
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炉管极限工作温度 |
＜1200℃ |
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气路法兰 |
密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术，在密封法兰与管外壁间形成了密封，在管件外径误差较大的情况下密封仍然有效，该密封法兰的安装只需在*使用设备的时候安装 |
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气体控制方式 |
质量流量计 |
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气路数量 |
3路（可根据具体需要选配气路数量） |
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流量范围 |
0-500sccm(标准毫升/分，可选配）氮气标定 |
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精度 |
±1%F.S |
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响应时间 |
≤4sec |
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工作温度 |
5-45℃ |
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工作压力 |
进气压力0.05-0.3Mpa(表压力） |
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系统连接方式 |
采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪 |
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规格 |
高真空 |
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系统真空范围 |
1x10-3Pa-1x10-1Pa |
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真空泵 |
真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1200L/S额定电压220V 功率2KW |
真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1600L/S额定电压220V 功率2KW |
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炉体外形尺寸 |
340×580×555mm |
480×770×605mm |
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系统外形尺寸 |
530x1440x750mm(不含高真空) |
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系统总重量 |
330kg |
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